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意法半導(dǎo)體推出同級(jí)領(lǐng)先的900V MOSFET管

2018-04-13 14:21:40 棒棒書(shū)香  點(diǎn)擊量: 評(píng)論 (0)
意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計(jì)人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求,具有同級(jí)最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和

意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計(jì)人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求,具有同級(jí)最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動(dòng)態(tài)特性。

900V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個(gè)RDS(ON)導(dǎo)通電阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開(kāi)關(guān)速度更快,在需要寬輸入電壓的應(yīng)用領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振電路、主動(dòng)鉗位設(shè)計(jì)等各種反激式轉(zhuǎn)換器具有高能效和可靠性,覆蓋低至35W高至230W的額定功率范圍。此外,低輸入輸出電容(Ciss,Coss)可實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān),使半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的電能損耗最小化。

新器件的高安全系數(shù)和優(yōu)異的動(dòng)態(tài)特性讓設(shè)計(jì)人員能夠提高各種產(chǎn)品的性能,例如服務(wù)器電源、三相開(kāi)關(guān)式電源(SMPS)、LED照明電源、電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電器、太陽(yáng)能板、焊接機(jī)、工業(yè)設(shè)備驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和工廠自動(dòng)化。

意法半導(dǎo)體MDmesh K5系列超結(jié)晶體管產(chǎn)品種類(lèi)繁多,包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V額定電壓的產(chǎn)品。再加上靈活的封裝選擇,包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長(zhǎng)引腳、IPAK和I2PAK,以及D2PAK和DPAK表面功率封裝,意法半導(dǎo)體為設(shè)計(jì)人員提供豐富的超結(jié)超高電壓(VHV)MOSFET產(chǎn)品。

最新的900V MDmesh? K5 MOSFET管即日上市,采用DPAK封裝的STD4N90K5。

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