5月24日，國家電網(wǎng)公司科技部在北京組織召開了國家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目“高壓IGBT芯片表面鈍化工藝研究”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。國家電網(wǎng)公司科技部、驗(yàn)收專家、項(xiàng)目研究團(tuán)隊(duì)等20余人參加了會(huì)議。與會(huì)專家聽取了項(xiàng)目組的研究工作匯報(bào)，認(rèn)真審閱了工作報(bào)告、技術(shù)報(bào)告、檢測(cè)報(bào)告、決算報(bào)告、審計(jì)報(bào)告等項(xiàng)目資料，經(jīng)質(zhì)詢與討論，一致認(rèn)為項(xiàng)目組完成了課題任務(wù)書和合同規(guī)定的全部研究內(nèi)容，提交資料齊全、規(guī)范，同意項(xiàng)目通過驗(yàn)收。

該項(xiàng)目由全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司牽頭，項(xiàng)目組在深入研究鈍化機(jī)理的基礎(chǔ)上研究了一款適于項(xiàng)目目標(biāo)的聚酰亞胺材料，提出了高壓功率芯片的表面鈍化工藝方案，優(yōu)化了聚酰亞胺前清洗、涂覆、光刻、刻蝕及固化關(guān)鍵工藝菜單，完成了厚度大于20微米的聚酰亞胺膜層制備工藝研究與加工。

本項(xiàng)目共歷時(shí)3年，聯(lián)研院通過方案制定，試驗(yàn)設(shè)計(jì)，工藝加工，樣品試制和測(cè)試評(píng)估，全面掌握了高壓IGBT芯片表面的鈍化工藝，完成了整個(gè)鈍化工藝的研究與開發(fā)。目前研究成果已經(jīng)應(yīng)用到聯(lián)研院的高壓IGBT和FRD樣品之上，試制的3300V/50AIGBT和3300V/100AFRD芯片通過了1000小時(shí)的可靠性考核，為直流斷路器等高端電力裝備的全面國產(chǎn)化奠定了基礎(chǔ)。