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高效SiC器件不間斷電源整流模塊的研究與設(shè)計

2018-06-05 15:29:39 大云網(wǎng)  點擊量: 評論 (0)
電力電子設(shè)備的體積、智能程度、效率、諧波、功率因數(shù)等指標(biāo)也在不斷得到改善。不間斷電源作為電力電子技術(shù)的一個重要分支,在電力電子的發(fā)展中扮演著重要角色。

第二章 不間斷電源整流模塊的數(shù)學(xué)模型數(shù)學(xué)模型

作為對研究對象的一種理想化抽象,抓住了研究對象的主要因素,忽略了研究對象的次要因素,方便對研究對象進行研究與設(shè)計。本文選取的整流模塊具有網(wǎng)側(cè)電流正弦化、單位功率因數(shù)、直流側(cè)輸出電壓可調(diào)的優(yōu)點。為了實現(xiàn)以上功能,必須首先掌握整流模塊的數(shù)學(xué)模型。因此,本文首先推導(dǎo)不間斷電源整流模塊在三相靜止坐標(biāo)系、兩相靜止直角坐標(biāo)系、兩相旋轉(zhuǎn)直角坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型,以便對整流模塊進一步研究分析。

2.1 兩電平電壓源型整流模塊的拓?fù)?/p>

兩電平電壓源型整流模塊的電路拓?fù)淙鐖D 2-1 所示,為表達(dá)方便,如無特別說明,下文所述整流模塊一般指兩電平電壓源型整流模塊。其中ae、be、ce為三相對稱電網(wǎng)電壓;L為電感,其功能為濾波并為整流模塊和電網(wǎng)的能量交換提供通道;1S至6S為開關(guān)管,可以為 IGBT 或者 MOSFET 等全控型電力電子器件;1C、2C為電解電容,起著儲存能量的作用,并且可以為逆變單元提供電壓中性點;LR為負(fù)載電阻。 整流模塊同一橋臂的兩個開關(guān)管(1S和2S、3S和4S、5S和6S)不能同時導(dǎo)通,一旦同一橋臂的上下兩個開關(guān)管同時導(dǎo)通,相當(dāng)于在直流側(cè)電解電容1C和2C兩端并聯(lián)一根電阻很小的導(dǎo)線,造成短路,燒壞裝置。因此,同一時刻每相橋臂只能有一個開關(guān)管導(dǎo)通。工程中為了防止橋臂直通,通常在軟件中或者硬件中加入死區(qū)。以整流模塊的 A相為例進行分析:當(dāng) A 相開關(guān)管1S導(dǎo)通,開關(guān)管2S關(guān)斷時,無論電流ai是正還是負(fù),整流模塊 A 相電路均可等效為圖 2-2 所示的電路;當(dāng) A 相開關(guān)管1S關(guān)斷,開關(guān)管2S導(dǎo)通時,無論電流ai是正還是負(fù),整流模塊 A 相電路均可等效為圖 2-3 所示電路。整流模塊的 B 相和 C 相均可以進行同樣的等效。

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2.2 整流模塊在三相靜止坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型

整流模塊在三相靜止坐標(biāo)系系下的數(shù)學(xué)模型是推導(dǎo)整流模塊在兩相靜止直角坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型和兩相旋轉(zhuǎn)直角坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ),因此本文將先建立整流模塊在三相靜止坐標(biāo)系系下的數(shù)學(xué)模型。整流模塊在兩相靜止直角坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型可以由整流模塊在三相靜止坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型變換而來。完成從三相靜止坐標(biāo)系到兩相靜止直角坐標(biāo)系的變換稱作Clark 變換。因此,本文首先介紹 Clark 變換,再介紹整流模塊在兩相靜止直角坐標(biāo)系下的數(shù)學(xué)模型。

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責(zé)任編輯:電力交易小郭

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